范谦
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基本信息
研究方向
化合物半导体芯片工艺，包括微波功率器件和光电器件如MMIC, HEMT, LED/LD, micro-LED等。
晶圆级封装技术包括晶圆键合，3DIC, TSV, interposer，solder bumping，异质晶圆集成等。
硅基大规模集成电路工艺，主要集中在CMOS后道工艺，多层金属互连，low-k DD工艺，片上测试结构，亚微米/深亚微米光刻等。
第三代半导体材料表征、器件模型以及仿真
个人简介
范谦，男，中共党员，研究员，现任东南大学下一代半导体研究所研究员。他拥有Virginia Commonwealth University的电子与计算机工程博士学位，以及浙江大学的通信与信息系统硕士学位和电子工程学士学位。范谦的研究方向广泛，涵盖化合物半导体芯片工艺（如微波功率器件和光电器件）、硅基大规模集成电路工艺（特别是CMOS后道工艺）、晶圆级封装技术（包括3DIC和TSV）以及第三代半导体材料表征与仿真。在职业经历方面，他曾在美国Ostendo Technology Inc.担任产品研发主管，领导团队成功研发了世界上首颗集成硅基CMOS与III-V族化合物半导体的光电阵列器件，该技术应用于投影、AR/VR和3D显示等领域。此前，他还在UTStarcom Inc.担任软件工程师。范谦在学术上成果显著，发表了多篇代表性论文，涉及氮化镓材料处理、器件建模和仿真等方面，并拥有多项中美专利，包括半导体晶圆键合和器件制造方法。他的工作体现了在半导体工艺和器件集成领域的深厚专业知识和创新能力。
资料摘录
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