黄风义
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基本信息
研究方向
半导体器件模型研究
射频/微波集成电路研究
高速芯片系统安全研究
个人简介
黄风义教授任职于东南大学网络空间安全学院,主要研究方向涵盖半导体器件模型研究、高速芯片系统安全研究、射频/微波集成电路研究。他教育背景扎实,先后于北京大学物理系获学士学位,复旦大学物理系半导体物理专业获硕士学位,后赴美国依利诺伊大学香槟分校深造取得博士学位。黄风义教授在半导体器件模型领域自主创新高精度射频器件模型技术,相关成果发表于IEEE JSSC、EDL等国际微电子领域权威期刊;在硅基集成电路方向研发多款宽带、超高速、毫米波/太赫兹射频芯片,部分指标达到国际领先水平;参与开发的高频功率放大器接近国际一流水平,已实现产业化。他先后主持承担多项国家级科研项目,曾获国务院政府特殊津贴、江苏省科技进步三等奖、IBM微电子部总经理杰出贡献奖、李政道物理学奖等多项荣誉,入选江苏省“333高层次人才培养工程”中青年科学技术带头人。
资料摘录
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