张雄
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基本信息
研究方向
GaN HEMT等功率器件的材料生长及器件制备技术
化合物半导体光电子材料和器件(如LED,半导体激光器,HEMT)
铝镓氮(AlGaN)基极性、非极性和半极性深紫外(DUV-LED)
个人简介
张雄,男,1962年11月生,博士,东南大学电子科学与工程学院教授、博士生导师,现任教育部新型光源及装备工程研究中心副主任。1985年本科毕业于中国科技大学物理系,1987年获日本文部省奖学金赴东京大学攻读博士学位,1992年获东京大学工学博士学位,1996-2000年在新加坡国立大学电子工程系从事李光耀杰出博士后研究。工作经历丰富,曾任职于日本奥林巴斯株式会社(主管工程师,获1994年公司最高荣誉社长奖)、新加坡国立大学(高级研究员)、美国硅谷Nova Crystals公司(高级工程师)、加拿大Simon Fraser大学MOCVD研究中心(研究科学家)以及无锡蓝星电子有限公司(总经理)。2009年2月起任职于东南大学。长期从事化合物半导体光电子材料与器件(如LED、半导体激光器、HEMT)的研发,重点开展AlGaN基深紫外LED及GaN HEMT功率器件的材料生长与制备技术研究。取得丰硕成果,包括发表SCI论文120余篇、英文学术专著2部、获得多项国际国内授权专利,并荣获日本文部省奖学金、新加坡李光耀杰出博士后奖学金、日本奥林巴斯社长奖、江苏省高层次创新创业人才奖等荣誉。目前担任国家第三代半导体技术创新中心专家委员会委员。
资料摘录
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